參數(shù)資料
型號： STPS1L60RL
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 123K
代理商： STPS1L60RL
Characteristics
STPS1L60
2/10
Doc ID 7504 Rev 8
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.44 x IF(AV) + 0.12 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
60
V
IF(RMS) Forward rms current
STmite flat
2
A
SMA, DO-41
10
A
IF(AV)
Average forward current
SMA
TL = 130 °C δ = 0.5
1A
DO-41
TL = 120 °C δ = 0.5
STmite flat
TC = 135 °C δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp =10 ms sinusoidal
40
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
1200
W
Tstg
Storage temperature range
- 65 to + 150
°C
Tj
Maximum operating junction temperature (1)
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
150
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junction to ambient
SMA
120
°C/W
Lead length = 10 mm
DO-41
100
Rth(j-l)
Junction to lead
SMA
30
°C/W
Lead length = 10 mm
DO-41
45
Rth(j-c)
Junction to case
STmite flat
20
°C/W
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
50
A
Tj = 100 °C
1.5
5
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 1 A
0.57
V
Tj = 100 °C
0.56
Tj = 125 °C
0.5
0.54
Tj = 25 °C
IF = 2 A
0.75
Tj = 100 °C
0.68
Tj = 125 °C
0.6
0.66
dPtot
dTj
<
1
Rth(j-a)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STPS20100 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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