參數(shù)資料
型號(hào)： STPS20L60CR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： STPS20L60CR
STPS20L60CT/CG/CR
3/6
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
IM(A)
t(s)
IM
t
δ=0.5
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values, per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Fig. 6: Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
IR(mA)
VR(V)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
Tc=150°C
Tc=50°C
Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
1
10
100
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
C(nF)
VR(V)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STPS2150AF 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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