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參數(shù)資料
| 型號： | STPS2150 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | STPS2150 |
STPS2150
2/6
Table 4: Thermal Resistance
Symbol
Table 5: Static Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Pulse test:
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.59 x I
F(AV)
+ 0.04 I
F2(RMS)
* tp = 380 μs,
δ
< 2%
Parameter
Value
20
30
Unit
R
th(j-l)
Junction to lead
SMA
DO-15
°C/W
Lead length = 10 mm
Tests conditions
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Min.
Typ
0.5
0.5
0.78
0.62
0.86
0.70
Max.
1.5
1.5
0.82
0.67
0.89
0.75
Unit
μA
mA
I
R
*
Reverse leakage current
V
R
= V
RRM
V
F
*
Forward voltage drop
I
F
= 2A
V
I
F
= 4A
Figure 1: Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2: Average forward current versus
ambient temperature (
δ
= 0.5)
Figure
derating versus pulse duration
3:
Normalized
avalanche
power
Figure
derating versus junction temperature
4:
Normalized
avalanche
power
P
(W)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.05
δ
= 0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.2
I
(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
δ
=tp/T
tp
T
(°C)
amb
R
=100°C/W
th(j-a)
SMA
DO-15
R
=R
th(j-a)
th(j-I)
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
p
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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