參數(shù)資料
型號(hào)： STPS2L60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： STPS2L60
STPS20150CT/CG/CR/CFP
4/7
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TO-220AB, I PAK and D PAK
t (s)
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 6-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration. TO-220AB,
I2PAK and D2PAK
0
25
50
75
100
125
150
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
I (μA)
V (V)
T=175°C
j
T=150°C
j
T=125°C
T=100°C
j
T=25°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
1
2
5
10
20
50
100
200
10
100
1000
C(nF)
F=1MHz
T=25°C
V (V)
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse voltage
applied (typical values, per diode).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
TO-220FPAB
t (s)
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 6-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
TO-220FPAB
pulse
duration.
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
(tyT=125°C
T=25°C
j
T=125°C
j
Fig. 8:
Forward voltage drop versus forward
current (per diode).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S(cm2)
R
(°C/W)
th(j-a)
Fig. 9:
Thermalresistancejunctiontoambientversus
coppersurfaceundertab(Epoxyprintedcircuitboard,
Cu = 35μm) (STPS20150CG only).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS2L60A POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2L60RL POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2L25 LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS20150CFP HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS20150CG HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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參數(shù)描述
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