參數(shù)資料
型號(hào)： STPS2L60
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： STPS2L60
Characteristics
STPS2L60
2/9
Doc ID 9173 Rev 5
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.43 x IF(AV) + 0.06 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
60
V
IF(RMS) Forward rms voltage
10
A
IF(AV)
Average forward current
SMB flat
TL = 130 °C δ = 0.5
2A
SMA
TL = 115 °C δ = 0.5
DO-41
TL = 110 °C δ = 0.5
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp =10 ms sinusoidal
75
A
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
1600
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 150
°C
Tj
Maximum operating junction temperature (1)
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
150
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Test conditions
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction-lead
SMB flat
15
°C/W
SMA
25
Lead length = 10 mm DO-41
30
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Reverse leakage
current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
100
A
Tj = 100 °C
2
10
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 2 A
0.60
V
Tj = 125 °C
0.51
0.55
Tj = 25 °C
IF = 4 A
0.77
Tj = 125 °C
0.62
0.67
dPtot
dTj
<
1
Rth(j-a)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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