參數(shù)資料
型號： STPS30L30CT
廠商： 意法半導體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： STPS30L30CT
STPS30L30CT/CG/CR
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
IM(A)
Tc=25°C
Tc=110°C
Tc=75°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 4:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values) (per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 5:
Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
0
5
10
15
20
25
30
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
VR(V)
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Fig. 6:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
1
2
5
10
20
50
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 7:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
Tj=150°C
(typical values)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 8:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values - per diode).
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(Cu) (cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 9:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (epoxy printed
circuit board FR4, e(Cu) = 35
μ
m)
(STPS30L30CG).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS3L25 LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS30L30CG SCHOTTKY RECTIFIER
STPS30L30CT SCHOTTKY RECTIFIER
STPS4030C LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS4030CG-TR LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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參數(shù)描述
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STPS30L30CTPBF_12 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A
STPS30L30CTS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V 30A Schottky Common Cathode Diode in a D-Pak package
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