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參數(shù)資料
| 型號： | STPS30L45C |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 低壓差功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | STPS30L45C |
STPS30L30CT/CG/CR
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
IM(A)
Tc=25°C
Tc=110°C
Tc=75°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 4:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values) (per
diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 5:
Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
0
5
10
15
20
25
30
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
VR(V)
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Fig. 6:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
1
2
5
10
20
50
0.1
1.0
5.0
VR(V)
C(nF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 7:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
Tj=150°C
(typical values)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 8:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values - per diode).
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(Cu) (cm2)
Rth(j-a) (°C/W)
Fig. 9:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (epoxy printed
circuit board FR4, e(Cu) = 35
μ
m)
(STPS30L30CG).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS30L60C | POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS30L60CG-TR | POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| STPS3545C | POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
| STPS3545CP | POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
| STPS3545CW | POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STPS30L45CG | 制造商:ST 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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