參數(shù)資料
型號： STPS30L45CFP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： STPS30L45CFP
STPS30L45C
Characteristics
Doc ID 8002 Rev 4
3/12
Table 4.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
0.4
mA
Tj = 125 °C
100
200
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 15 A
0.55
V
Tj = 125 °C
IF = 15 A
0.42
0.50
Tj = 25 °C
IF = 30 A
0.74
Tj = 125 °C
IF = 30 A
0.59
0.67
1.
Pulse test: tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.330 x IF(AV) + 0.011 IF
2
(RMS)
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
(per diode)
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature
(
δ = 0.5, per diode)
02468
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
TO-220FPAB
TO-220AB/TO-247/IPAK/DPAK
T
δ=tp/T
tp
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
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PDF描述
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