參數(shù)資料
型號： STPS3150U
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 117K
代理商： STPS3150U
Characteristics
STPS3150
4/10
Figure 9.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (SMB)
Figure 10.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (DO-2001AD)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z/R
th(j-a)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
SMB
Single pulse
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z/R
th(j-a)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
DO-201AD
Single pulse
Figure 11.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead
versus pulse duration - SMB flat
Figure 12.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z/R
th(j-l)
SMB flat
t (s)
p
Single pulse
I (A)
R
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0
25
50
75
100
125
150
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
Figure 13.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 14.
Forward voltage drop versus
forward current
C(pF)
10
100
1000
1
10
100
1000
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
V (V)
R
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
相關PDF資料
PDF描述
STPS3545CW 17.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
STPS3L60-C2 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STPS3L60RL 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STPS3L60U 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
STPS3L60 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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參數(shù)描述
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