參數(shù)資料
型號: STPS3L60-C2
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: STPS3L60-C2
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
STPS3L60-C2
2/4
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR =VRRM
150
A
Tj = 100°C
15
mA
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF =3 A
0.62
V
Tj = 100°C
IF =3 A
0.61
Pulse test : * tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation:
P=0.44xIF(AV) +0.05xIF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junction to ambient
Lead length = 10 mm
80
°C/W
Rth(j-l)
Junction to leads
Lead length = 10 mm
20
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.05 δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=80°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-l)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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