參數(shù)資料
型號： STPS4030CG
廠商： 意法半導體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： STPS4030CG
STPS4030CT/CG/CR
2/6
Symbol
I
R
*
Parameter
Reverse leakage
current
Forward voltage drop
Tests Conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
0.50
170
0.44
0.35
0.52
0.46
Max.
1.0
350
0.49
0.40
0.61
0.55
Unit
mA
V
R
= V
RRM
V
F
*
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
I
F
= 40 A
I
F
= 40 A
V
Pulse test : * tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.25 x I
F(AV)
+ 0.0075 I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th(j-c)
Parameter
Value
1.6
0.85
0.1
Unit
°C/W
Junction to case TO-220AB - D
2
PAK - I
2
PAK
Per diode
Total
Coupling
R
th(c)
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
IF(av)(A)
P(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
T
δ
=tp/T
tp
Fig.1:
Conductionlossesversusaveragecurrent.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=50°C/W
IF(av)(A)
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature(
δ
= 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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