參數(shù)資料
型號(hào)： STPS4030CR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： STPS4030CR
STPS4030CT/CG/CR
2/6
Symbol
I
R
*
Parameter
Reverse leakage
current
Forward voltage drop
Tests Conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
0.50
170
0.44
0.35
0.52
0.46
Max.
1.0
350
0.49
0.40
0.61
0.55
Unit
mA
V
R
= V
RRM
V
F
*
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
I
F
= 40 A
I
F
= 40 A
V
Pulse test : * tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.25 x I
F(AV)
+ 0.0075 I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th(j-c)
Parameter
Value
1.6
0.85
0.1
Unit
°C/W
Junction to case TO-220AB - D
2
PAK - I
2
PAK
Per diode
Total
Coupling
R
th(c)
°C/W
THERMAL RESISTANCES
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
IF(av)(A)
P(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
T
δ
=tp/T
tp
Fig.1:
Conductionlossesversusaveragecurrent.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
Tamb(°C)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=50°C/W
IF(av)(A)
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature(
δ
= 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS4030CT LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS60L30C Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STPS60L40C Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STPS60L45C Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STPS640C Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
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參數(shù)描述
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