參數(shù)資料
型號： STPS41L45CG
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： STPS41L45CG
STPS41L45CG / STPS41L45CT / STPS41L45CR
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160
180
200
220
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=125°C
IM
t
δ=0.5
IM(A)
Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
VR(V)
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=75°C
Tj=50°C
IR(mA)
Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Fig. 6: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0.1
1.0
10.0
1
10
100
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
C(nF)
Fig. 8: Junction capacitance versus reverse voltage
applied (typical values).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS41L45CG-TR 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STPS41L45CT 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS640CFP 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPS745FP 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPS745G-TR 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STPS41L45CR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS41L45CT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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