參數(shù)資料
型號： STPS61150CW
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 54K
代理商： STPS61150CW
STPS61150CW
2/4
Symbol
I
R
*
Parameter
Reverse leakage
current
Forward voltage drop
Tests Conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
7
7
Max.
20
25
0.84
0.67
0.92
0.8
Unit
μA
mA
V
V
R
= V
RRM
V
F
*
I
F
= 30 A
I
F
= 30 A
I
F
= 60 A
I
F
= 60 A
0.63
0.76
Pulse test : * tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.54 x IF(AV)+ 0.0043 IF2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th(j-c)
Parameter
Value
0.9
0.6
0.3
Unit
°C/W
Junction to case
Per diode
Total
Coupling
R
th(j-c)
Junction to case
°C/W
THERMAL RESISTANCES
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
(W)
F(AV)
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 2:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
175
I
(A)
F(AV)
T
(°C)
amb
T
δ
=tp/T
tp
R
=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=15°C/W
th(j-a)
Fig. 4:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
=0.5, per diode).
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