參數(shù)資料
型號: STPS640CFP
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 138K
代理商: STPS640CFP
Characteristics
STPS640C
2/9
1
Characteristics
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
ΔTj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.42 x IF(AV) + 0.050 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values, per diode)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
40
V
IF(RMS) RMS forward voltage
TO-220AB /TO-220FPAB
10
A
DPAK
6
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
TO-220AB
Tc = 135° C
3A
TO-220FPAB
Tc = 130° C
DPAK
Tc = 120° C
IFSM
Surge non repetitive forward
current
tp = 10 ms Sinusoidal
75
A
IRRM
Repetitive peak reverse current
tp = 2 s square F = 1 kHz
1
A
PARM
Repetitive peak avalanche power tp = 1 s Tj = 25° C
1300
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 150
° C
Tj
Maximum operating junction temperature
150
° C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
Table 2.
Thermal resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
TO-220AB / DPAK
Per diode
Total
5.5
3
°C/W
TO-220FPAB
Per diode
Total
5.5
5.2
Rth(c)
Coupling
TO-220AB
0.5
°C/W
TO-220FPAB
3
Table 3.
Static electrical characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
1.
Pulse test: tp = 380 s,
δ < 2%
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
100
A
Tj = 125° C
2
10
mA
VF
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 3 A
0.63
V
Tj = 25° C
IF = 6 A
0.84
Tj = 125° C
IF = 3 A
0.5
0.57
Tj = 125° C
IF = 6 A
0.67
0.72
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STPS745D 功能描述:肖特基二極管與整流器 7.5 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel