參數(shù)資料
型號： STSJ80N4LLF3
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 40V - 0.0042ヘ - 18A - PowerSO-8⑩ STripFET⑩III Power MOSFET for DC-DC conversion
中文描述： N溝道40V的- 0.0042ヘ- 18A條- PowerSO - 8⑩STripFET⑩三功率MOSFET的DC - DC轉換
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代理商： STSJ80N4LLF3
Electrical characteristics
STSJ80N4LLF3
4/12
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 250μA, V
GS
= 0
40
V
I
DSS
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
V
DS
= 40V, T
C
= 25°C
V
DS
= 40V, T
C
= 125°C
10
100
μA
μA
I
GSS
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16V
±200
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 9A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9A
0.0042
0.005
0.005
0.007
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 25V, f = 1MHz,
V
GS
= 0
2530
574
29
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 20V, I
D
= 18A
V
GS
= 4.5V
(see Figure 13)
21.5
6.9
8.2
28
nC
nC
nC
R
G
Gate input resistance
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test signal level = 20mV
open drain
1
3
5
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