參數(shù)資料
型號： STTH1002CG-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 110K
代理商： STTH1002CG-TR
STTH1002C
3/8
I (A)
M
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
δ=tp/T
tp
IM
P = 10W
P = 5W
P = 2W
δ
Fig. 1: Peak current versus duty cycle (per diode).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
V
(V)
FM
I
(A)
FM
T =25°C
j
T =150°C
j
Fig. 2-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values, per diode).
Z/R
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t(s)
p
Fig. 3-1: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB,
I
2PAK, D2PAK, DPAK).
10
100
0
50
100
150
200
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
Fig. 4: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
I
(A)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
T =150°C
j
T =25°C
j
V
(V)
FM
Fig. 2-2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
Z/R
th(j-c)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
t(s)
p
Fig. 3-2: Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
pulse
duration
(TO-220FPAB).
相關PDF資料
PDF描述
STTH1002CR 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1002CT 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH1002CG 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1002CB-TR 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1003SFP 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
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STTH1002CT 功能描述:整流器 2x8 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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STTH1003S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
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