參數(shù)資料
型號(hào)： STTH1003SG-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： STTH1003SG-TR
STTH1003S
Characteristics
Doc ID 11604 Rev 2
3/9
Table 5.
Recovery characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR = 1 A
-
13
17
ns
IF = 1A, VR = 30V
dIF/dt = -50 A/s
-28
35
tfr
Forward recovery time
Tj = 25 °C
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
--
200
ns
VFP
Peak forward voltage
Tj = 25 °C
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
-
2.5
3.5
V
IRM
Reverse recovery current
Tj = 125 °C
IF = 10 A, VCC = 200 V
dIF/dt = 200 A/s
-5.7
7.5
A
Sfactor
Softness factor
-
0.3
-
Figure 1.
Forward voltage drop versus
current (maximum values)
Figure 2.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (90% confidence)
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =125°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
V =200V
T =125°C
R
j
I = 2xI
F
F(AV)
I= I
F
F(AV)
I = 0.5xI
F
F(AV)
Figure 3.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence)
Figure 4.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
V =200V
T =125°C
R
j
I = 2xI
F
F(AV)
I= I
F
F(AV)
I = 0.5xI
F
F(AV)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
S factor
dI /dt(A/s)
F
V =200V
T =125°C
R
j
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PDF描述
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