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參數資料
| 型號： | STTH10LCD06SB-TR |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | STTH10LCD06SB-TR |
Characteristics
STTH10LCD06
2/10
Doc ID 15858 Rev 2
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.20 x IF(AV) + 0.040 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values per diode at 25 °C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS)
Forward current rms
DPAK
18
A
TO-220AC, TO-220FPAC, D2PAK
35
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
Tc = 105 °C
TO-220AC, DPAK, D2PAK
10
A
Tc = 55 °C
TO-220FPAC,
10
A
IFSM
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal
100
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
175
°C
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
dP
tot
dT
j
---------------
1
R
th j
a
–
()
--------------------------
<
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC, DPAK, D2PAK
3.5
°C/W
TO-220FPAC
6
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
--
5
A
Tj = 150 °C
-
13
130
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
--
2
V
Tj = 150 °C
-
1.3
1.6
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
-35
50
ns
IRM
Reverse recovery current
IF = 10 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 400 V, Tj = 125 °C
-2.0
2.8
A
tfr
Forward recovery time
IF = 10 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
-
230
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 10 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
-4-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH10R04D | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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| STTH10R04B | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH112U | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| STTH112RL | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STTH10R04D | 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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