參數(shù)資料
型號(hào)： STTH12R06FP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： PLASTIC, TO-220FPAC, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： STTH12R06FP
Characteristics
STTH12R06
4/11
Doc ID 7973 Rev 4
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0
200
400
600
800
1000
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
I =0.25 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
I =2 x I
F
F(AV)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
200
400
600
800
1000
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
V =400V
T =125°C
R
j
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
Figure 7.
Reverse recovery charges
versus dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Softness factor versus
dIF/dt (typical values)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
200
400
600
800
1000
Q (nC)
rr
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0
200
400
600
800
1000
S factor
I
2 x I
T =125°C
F
F(AV)
j
≤
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
Figure 9.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
IRM
QRR
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
100
200
300
400
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH1512D 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH1512W 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-247
STTH1512G-TR 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1602CFP 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH1602CR 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH12R06XX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
STTH12S06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
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