參數(shù)資料
型號： STTH1602CR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 94K
代理商： STTH1602CR
STTH1602C
2/7
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR*
Reverse leakage
current
Tj = 25°C
VR =VRRM
6A
Tj = 125°C
460
VF**
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF =8 A
1.1
V
Tj = 25°C
IF =16 A
1.25
Tj = 150°C
IF =8 A
0.78
0.89
Tj = 150°C
IF =16 A
1.05
Pulse test: * tp = 5ms,
δ <2%
** tp = 380s,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.73 x IF(AV) + 0.020 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse
recovery time
Tj = 25°C
IF =1A VR = 30V
dIF/dt = 100 A/s
21
26
ns
IRM
Reverse
recovery current
Tj = 125°C
IF =8A VR = 160V
dIF/dt = 200 A/s
6.8
8.8
A
tfr
Forward
recovery time
Tj = 25°C
IF =8A dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
160
ns
VFP
Forward
recovery voltage
Tj = 25°C
IF =8A dIF/dt = 100 A/s
2.4
V
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
TO-220AB / I
2PAK / D2PAK Per diode
3.0
°C/W
Per device
1.9
TO-220FPAB
Per diode
5.5
Per device
4.5
Rth (j-c)
Coupling
TO-220AB / I
2PAK / D2PAK
0.8
°C/W
TO-220FPAB
3.5
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj (diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)
THERMAL PARAMETERS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH1602CT 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH16L06CG-TR 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH16L06CG 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH16L06CT 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH1R02U 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH16L06CG 功能描述:整流器 RECTIFIER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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