參數(shù)資料
型號： STTH16L06CG
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： STTH16L06CG
STTH16L06C
4/8
Figure 7: Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values, per diode)
Figure 8: Reverse recovery softness factor
versus dIF/dt (typical values, per diode)
Figure 9: Relative variations of dynamic
parameters versus junction temperature
Figure 10: Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values, per diode)
Figure 11: Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values, per diode)
Figure
12:
Junction
capacitance
versus
reverse voltage applied (typical values, per
diode)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
0
100
200
300
400
500
Q (nC)
rr
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
dI /dt(A/s)
F
I< 2 x I
T =125°C
FF(AV)
j
V =400V
R
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
IRM
QRR
trr
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
FF(AV)
j
V =400V
R
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
FF(AV)
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
FF(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
相關PDF資料
PDF描述
STTH16L06CT 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH1R02U 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1R02RL 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
STTH1R06A 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
STTH1R06 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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參數(shù)描述
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STTH16R04C 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery diode
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