參數(shù)資料
型號(hào): STTH1L06U
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: SMB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商: STTH1L06U
Characteristics
STTH1L06
4/9
Doc ID 8321 Rev 4
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction ambient versus
pulse duration (epoxy FR4)
Figure 6.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (90% confidence)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
SMA
T
δ=tp/T
tp
Zth(j-a)/Rth(j-a)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
0.0
0.3
0.5
0.8
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
2.3
2.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Figure 7.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence)
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (90% confidence)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Figure 9.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
Figure 10.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
S factor
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
25
50
75
100
125
Tj(°C)
IRM
QRR
S factor
IF=IF(av)
VR=400V
Reference: Tj=125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH20R04G 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH20R04FP 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH302 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STTH302RL 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STTH30R03CW 15 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STTH1L06UFY 功能描述:DIODE ULT FAST 600V 1A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:SMBflat 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STTH1R02 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
STTH1R02_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery diode
STTH1R02A 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
STTH1R02Q 功能描述:整流器 ULTRAFAST RECOVERY DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel