參數(shù)資料
型號： STTH1R02RL
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： STTH1R02RL
Characteristics
STTH1R02
4/10
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (SMB)
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (DO-41)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
SMB
S
cu=1cm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-41
Lleads=10mm
tP(s)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (DO-15)
Figure 8.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-15
Leads =10mm
tP(s)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
Figure 9.
Reverse recovery charges
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F=1.5A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=1.5A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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