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參數資料
| 型號： | STTH1R02U |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | STTH1R02U |
STTH1R02
Characteristics
5/10
Figure 11.
Peak reverse recovery curent
versus dIF/dt (typical values)
Figure 12.
Dynamic parameters versus
junction temperature
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
100
1000
I
RM(A)
I
F=1.5A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F=1.5A
V
R=160V
Tj(°C)
Figure 13.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead - SMA (Epoxy FR4,
copper thickness = 35 m)
Figure 14.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead - SMB (Epoxy FR4,
copper thickness = 35 m)
0
20
40
60
80
100
120
0
1
23
45
R
th(j-a) (°C/W)
SMA
SCU(cm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a)(°C/W)
SMB
SCU(cm)
Figure 15.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead - DO 15 (Epoxy
FR4, copper thickness = 35 m)
Figure 16.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under each lead - DO-41 (Epoxy
FR4, copper thickness = 35 m)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
th(j-a) (°C/W)
DO-15
SCU(cm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
01
23
456
78
9
10
R
th(j-a)(°C/W)
DO-41
S(cm)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1R02RL | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| STTH1R06A | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| STTH1R06 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| STTH20002TV1 | 120 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH2002G | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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