參數(shù)資料
型號： STTH1R06A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： STTH1R06A
STTH1R06
Characteristics
Doc ID 10203 Rev 5
3/9
Table 5.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25 °C
IF = 0.5A Irr = 0.25A IR =1A
25
ns
IF = 1A dIF/dt = -50 A/s VR =30V
30
45
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25 °C
IF = 1A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
100
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25 °C
IF = 1A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
10
V
Figure 1.
Conduction losses versus average
forward current
Figure 2.
Forward voltage drop vs forward
current
P(W)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
012345
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case vs
pulse duration (DO-41)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case vs
pulse duration (SMA)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
Single pulse
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.5
S = 1cm2
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PDF描述
STTH1R06 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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