參數(shù)資料
型號： STTH20002TV1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 120 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 106K
代理商： STTH20002TV1
STTH20002TV
3/5
Fig. 1: Peak current versus duty cycle (per diode).
Fig. 2-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values, per diode).
Fig. 2-2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode).
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
Fig. 4: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(typical values, per diode).
0
100
200
300
400
500
600
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
δ=tp/T
tp
P = 160W
P = 120W
P = 80W
δ
I (A)
M
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
(A)
FM
T =150°C
j
T =25°C
j
V
(V)
FM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
(A)
FM
T =150°C
j
T =25°C
j
V
(V)
FM
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Single pulse
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
10
100
1000
Q (nC)
rr
I =100A
F
V =160V
R
dI /dt(A/s)
F
T =25°C
j
T =125°C
j
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PDF描述
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