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參數(shù)資料
| 型號： | STTH20LCD06CT |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | STTH20LCD06CT |
STTH20LCD06C
Characteristics
Doc ID 15898 Rev 1
3/10
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A,
IR = 1 A, Tj = 25 °C
25
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
35
50
IRM
Reverse recovery current
IF = 10 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 400 V, Tj = 125 °C
22.8
A
tfr
Forward recovery time
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
230
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
4V
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
(per diode)
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (per diode)
0
4
8
12
16
20
24
02
468
10
12
14
PF(AV)(W)
T
δ = tp /T
tp
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 0.05
δ = 1
0
20
40
60
80
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
IFM(A)
VFM(V)
Tj = 150 °C
(Maximum values)
Tj = 150 °C
(Typical values)
Tj = 25 °C
(Maximum values)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AB, D2PAK)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Zth(j-c)/Rth(j-c)
TO-220AB
D2PAK
Single pulse
tp(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Zth(j-c)/Rth(j-c)
TO-220FPAB
Single pulse
tp(s)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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