參數(shù)資料
型號(hào)： STTH212RL
廠(chǎng)商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 2 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： DO-201AD, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： STTH212RL
STTH212
1 Electrical characteristics
3/9
Table 4.
Dynamic Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 1A dIF/dt = -100 A/s VR =30V
75
ns
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 2A
dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
500
ns
VFP
Forward recovery
voltage
30
V
Figure 1.
Conduction losses versus average
forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (Epoxy
printed circuit board FR4,
LLeads = 10mm)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration (Epoxy
printed circuit board FR4,
SCU =1cm
2)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
T
δ=tp/T
tp
I
(A)
F(AV)
P(W)
δ = 0.05
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 1
δ = 0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =125°C
(typical values)
j
T =25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
DO-201AD
Lleads=10mm
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
SMB
SCu=1cm
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STTH2R06A 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH2R06U 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH2512P 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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STTH2L06A 功能描述:整流器 H ULTRAFAST DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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