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參數(shù)資料
| 型號： | STTH30L06CW |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | STTH30L06CW |
STTH30L06C
2/8
Table 4: Thermal Resistance
Table 5: Static Electrical Characteristics (per diode)
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.94 x IF(AV) + 0.017 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Value (max).
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
1.7
°C/W
Total
1.15
Rth(c)
Coupling
0.6
°C/W
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current Tj = 25°C
VR = VRRM
15
A
Tj = 150°C
40
400
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 15A
1.55
V
Tj = 150°C
0.95
1.2
Tj = 25°C
IF = 30A
1.76
Tj = 150°C
1.15
1.45
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A Irr = 0.25A IR =1A
55
ns
IF = 1A dIF/dt = 50 A/s VR =30V
60
85
IRM
Reverse recovery
current
Tj = 125°C IF = 15A
VR = 400V
dIF/dt = 100 A/s
8.5
12
A
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 15A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
300
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25°C
IF = 15A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
3.0
V
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PDF描述 |
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