參數(shù)資料
型號： STTH30L06G
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： STTH30L06G
Characteristics
STTH30L06
4/10
Figure 7.
Reverse recovery softness factor
versus dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I < 2 x I
T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
IRM
QRR
trr
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
Figure 9.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
Figure 11.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (epoxy FR4, eCU=35m)
(D2PAK)
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
(cm)
CU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH30L06W 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-247
STTH30L06PI 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH30L06P 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH30R06P 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH3R02Q 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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參數(shù)描述
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STTH30L06PI 功能描述:整流器 Turbo 2 RECTIFIER Ultrafast Hi Vltg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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