參數(shù)資料
型號(hào)： STTH3R02Q
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： STTH3R02Q
STTH3R02
Characteristics
3/9
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
24
30
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
16
20
IRM
Reverse recovery current
IF = 3 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125° C
3.5
4.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 3 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25° C
40
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 3 A, dIF/dt = 100 A/s,
Tj = 25° C
1.9
V
Figure 1.
peak current versus duty cycle
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
0
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M(A)
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 5 W
P = 3 W
P = 10 W
δ
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
Figure 3.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration - DO-201AD
(Epoxy printed circuit board FR4,
eCU =35m)
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
FM(A)
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-201AD
Lleads=10mm
tP(s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH3R06-RL 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
STTH4R02B 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH4R02U 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH4R02 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AB
STTH4R02D 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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參數(shù)描述
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STTH3R04Q 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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