參數(shù)資料
型號(hào)： STTH3R06-RL
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： STTH3R06-RL
STTH3R06
2/9
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)
Table 4: Thermal Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.03 x IF(AV) + 0.09 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) RMS forward current
10
A
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
DO-201AD
Tl = 80°C
3
A
SMB
Tl = 55°C
SMC
Tl = 80°C
IFSM
Surge non repetitive forward current
DO-201AD
tp = 10ms
sinusoidal
55
A
SMB / SMC
45
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
DO-201AD
L = 10 mm
20
°C/W
SMB
25
SMC
20
Rth(j-a)
Junction to ambient (see fig. 13)
DO-201AD
L = 10 mm
75
°C/W
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR = VRRM
3A
Tj = 150°C
15
100
VF
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 3A
1.7
V
Tj = 150°C
1.0
1.25
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A IRR = 0.25A IR = 1A
30
ns
IF = 1A dIF/dt = -50 A/s VR =30V
35
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
100
ns
VFP
Forward recovery
voltage
IF = 3A
dIF/dt = 100 A/s
10
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH4R02B 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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