參數(shù)資料
型號: STTH4R02
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大?。?/td> 0K
代理商: STTH4R02
STTH4R02
Characteristics
5/13
Figure 9.
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
Figure 10.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc=30mVRMS
T
j=25°C
VR(V)
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
RR(nC)
I
F=4A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
Figure 11.
Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 12.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F=4A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
RM(A)
I
F=4A
V
R=160V
T
j=125°C
T
j=25°C
dIF/dt(A/s)
Figure 13.
Dynamic parameters versus
junction temperature
Figure 14.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under tab - DPAK (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU = 35 m)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F=4A
V
R=160V
Tj(°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
th(j-a)(°C/W)
DPAK
SCU(cm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH4R02D 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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參數(shù)描述
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