參數(shù)資料
型號： STTH4R02B
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： STTH4R02B
STTH4R02
Characteristics
3/13
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.67 x IF(AV) + 0.04 IF
2
(RMS)
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
3
A
Tj = 125° C
2
20
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 12 A
1.15
1.25
V
Tj = 25° C
IF = 4 A
0.95
1.05
Tj = 150° C
0.76
0.83
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
24
30
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
16
20
IRM
Reverse recovery current
IF = 4 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 160 V, Tj = 125° C
4.4
5.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 4 A, dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25° C
80
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 4 A, dIF/dt = 50 A/s,
Tj = 25° C
1.6
V
Figure 1.
peak current versus duty cycle
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M(A)
T
d=tp/T
tp
I
M
T
δ=tp/T
tp
I
M
P = 2 W
P = 1 W
P = 5 W
δ
I
FM(A)
0
25
50
75
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T
j=25°C
T
j=150°C
VFM(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH4R02U 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH4R02D 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH506B 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH506B-TR 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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