參數(shù)資料
型號: STTH506B
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 130K
代理商: STTH506B
Characteristics
STTH506
4/9
Figure 9.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
25
50
75
100
125
I
and
RM
S factor
QRR
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
FF(AV)
j
V =400V
R
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0
100
200
300
400
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
FF(AV)
j
Figure 11.
Forward recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 12.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
Figure 13.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (printed circuit board
FR4, eCU = 35 m)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
FF(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
(°C/W)
th(j-a)
S
(cm)
(Cu)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH506B-TR 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH6002CW 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
STTH6002CPI 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH6006W 60 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH602CFP 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
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