參數(shù)資料
型號： STTH806DI
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： ROHS COMPLIANT, INSULATED PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： STTH806DI
Characteristics
STTH806
2/9
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.07 x IF(AV) + 0.041 IF
2
(RMS)
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC, D2PAK
2.5
° C/W
TO-220AC Ins
4
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
8
A
Tj = 150° C
20
200
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 8 A
1.85
V
Tj = 150° C
1.10
1.40
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR = 1 A,
Tj = 25° C
35
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
40
55
IRM
Reverse recovery current
IF = 8 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 400 V, Tj = 25° C
4.5
6.5
tfr
Forward recovery time
IF = 8 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25° C
200
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 8 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25° C
3.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH806D 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH806G 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH810FP 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STTH810G 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH810G-TR 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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