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參數(shù)資料
| 型號： | STTH810FP |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220FPAC, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | STTH810FP |
STTH810
Characteristics
3/11
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
64
85
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
47
65
IRM
Reverse recovery current
IF = 8 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 600 V, Tj = 125° C
12
16
A
S
Softness factor
IF = 8 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 600 V, Tj = 125° C
2
tfr
Forward recovery time
IF = 8 A
dIF/dt = 50 A/s
VFR = 1.5 x VFmax, Tj = 25° C
300
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 8 A, dIF/dt = 50 A/s,
Tj = 25° C
5.5
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
P(W)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
012
34567
8
9
10
=0.05
=0.1
=0.2
=0.5
=1
T
I(A)
F(AV)
I
(A)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
j=25°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Maximum values)
T
j=150°C
(Typical values)
V
(V)
FM
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Single pulse
DO-220AB
DPAK
t(s)
p
Z/R
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Single pulse
TO-220FPAB
t(s)
p
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH810G | 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH810G-TR | 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH810DI | 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH812G-TR | 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH8L06G | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTH810G | 功能描述:整流器 Ultrafast Recovery Hi Vltg Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH810G-TR | 功能描述:整流器 Ultrafast Recovery Hi Vltg Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH810GY-TR | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Ultrafast Recovery 8A 1000V 1.30VF 47ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| STTH810-Y | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Automotive ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH812 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - 1200 V diode |
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