參數(shù)資料
型號： STTH8R03G
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 86K
代理商： STTH8R03G
STTH8R03G/D
2/6
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage
current
VR =VRRM
Tj = 25°C
10
A
Tj = 125°C
15
100
VF **
Forward voltage drop
IF = 8 A
Tj = 25°C
1.8
V
Tj = 125°C
1.05
1.3
Pulse test : * tp=5ms,
δ <2%
** tp = 380
s, δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P=0.9xIF(AV) + 0.05 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
2.5
°C/W
THERMAL AND POWER DATA
Symbol
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
IF = 0.5 A
Irr = 0.25 A
IR = 1A
Tj = 25°C
13
ns
IF =1A dIF/dt=-50A/
sVR = 30V
30
IRM
VR = 200 V IF =8A
dIF/dt = - 200A/
s
Tj = 125°C
4
5.5
A
S factor
0.4
RECOVERY CHARACTERISTICS
Symbol
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
tfr
Tj = 25°C IF =8A
dIF/dt = 100A/
s
measured at 1.1xVFmax
200
ns
VFP
Tj = 25°C IF =8A
dIF/dt = 100A/
s
3.5
V
TURN-ON SWITCHING CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH8R06G 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH8R06DIRG 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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SUF15GE3 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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