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相關(guān)PDF資料	PDF描述
STH75N06	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-218
STH75N06FI	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-92; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Voltage:190V; Holding Current:150mA
STW75N06	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-247
STH7N90	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-218; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Capacitance:750pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:180V; Holding Current:50mA
STH7N90FI	DO-214AA SIDACtor Device

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Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-92; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Voltage:190V; Holding Current:150mA

STW75N06

STH7N90

Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-218; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Capacitance:750pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:180V; Holding Current:50mA

STH7N90FI

DO-214AA SIDACtor Device

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STW15N80K5	功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr SuperMESH V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW15N95K5	功能描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW15NA50	功能描述:MOSFET TO-247 N-CH 500V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW15NB50	功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 14.6 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW15NB50FI	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET

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STW15N80K5

功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr SuperMESH V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STW15N95K5

功能描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30

STW15NA50

功能描述:MOSFET TO-247 N-CH 500V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STW15NB50

功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 14.6 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STW15NB50FI

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET

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型號(hào)：	STW15N50
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-247
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 500V五（巴西）直\| 15A條（?。﹟至247
文件頁(yè)數(shù)：	1/7頁(yè)
文件大?。?/td>	336K
代理商：	STW15N50

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