參數(shù)資料
型號： SUB75N06-08
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Transistors
中文描述： N溝道增強模式晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 47K
代理商： SUB75N06-08
SUP/SUB75N06-08
Vishay Siliconix
Document Number: 70283
S-05111
—
Rev. F, 10-Dec-01
www.vishay.com
2-3
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
–
r
D
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
g
f
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
6
7
25 C
–
55 C
5 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 10, 9, 8 V
6 V
7 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 20 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
=
–
55 C
25 C
125 C
4 V
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PDF描述
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SUP75N06-08 N-Channel Enhancement-Mode Transistors
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