參數資料
型號: SUD23N06-31L
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類: 其它接口
英文描述: TERMINAL
中文描述: IGBT模塊
文件頁數: 3/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商: SUD23N06-31L
SUD23N06-31L
Vishay Siliconix
Document Number: 72145
S-03536—Rev. A, 24-Mar-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
0
200
400
600
800
1000
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
0
8
16
24
32
0
5
10
15
20
25
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
-
r
D
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
I
D
- Drain Current (A)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
g
f
25 C
-55 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 23 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
T
C
= -55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
I
D
- Drain Current (A)
Gate Charge
5 V
3 V
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參數描述
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SUD23N06-31L-T4-E3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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