參數(shù)資料
型號： SUD50N02-06P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel MOSFET, 20 V(D-S) , 175°C
中文描述： N溝道MOSFET，20V（D-S），175℃
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 178K
代理商： SUD50N02-06P
SPICE Device Model SUD50N02-06P
Vishay Siliconix
Document Number: 70104
08-Jun-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUD50N03-10AP N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
SUD50N03-10CP N-Channel 30-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET PWM Optimized
SUD50P04-09L P-Channel, Tj = 175 °C power MOSFET; low leakage current;
SUD50P04-13L P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
SUD50P04-15 P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUD50N02-06P_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) 175Celsius MOSFET
SUD50N02-06P-E3 功能描述:MOSFET 20V 26A 65W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N02-06PT1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:26 A, 20 V, 0.006 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252
SUD50N02-06P-T4 功能描述:MOSFET 20V 26A 65W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N02-06-T4 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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