參數(shù)資料
型號： SUD50P06-15L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Tj = 175 °C power MOSFET; low leakage current;
中文描述： P通道，Tj=175℃，低漏電流
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 43K
代理商： SUD50P06-15L
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
175 C Junction Temperature
APPLICATIONS
Automtoive 12-V Boardnet
SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72250
S-31673—Rev. B 11-Aug-03
www.vishay.com
1
P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-60
0.015 @ V
GS
= -10 V
-50
d
0.020 @ V
GS
= -4.5 V
-50
S
G
D
P-Channel MOSFET
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Ordering Information: SUD50P06-15L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
-60
V
Gate-Source Voltage
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
I
D
-50
d
-39
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
-80
Avalanche Current
-50
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
125
mJ
Power Dissipation
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
P
D
136
c
W
3
b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient
t A bi
b
t
10 sec
R
thJA
15
18
Steady State
40
50
C/W
Junction-to-Case
R
thJC
0.82
1.1
Notes:
a.
b.
c.
d.
Duty cycle
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
See SOA curve for voltage derating.
Package limited.
1%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SUD50P06-15L-T4-E3 功能描述:MOSFET P-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUD50P08-25L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) 175 °C MOSFET
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