參數(shù)資料
型號： SUM110N10-09-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： 其它接口
英文描述： TERMINAL
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： SUM110N10-09-E3
SUM110N10-09
Vishay Siliconix
Document Number: 70677
S-32523—Rev. C, 08-Dec-03
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
1000
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
Ambient Temperature ( C)
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
N
T
10
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Single Pulse
0.05
0.02
1
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM110P06-08L P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
SUM110P06-08L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
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SUM40N15-38 N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM45N25-58 N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SUM110P04-05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
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