參數資料
型號： SUM110P06-08L-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下副秘書長）MOSFET的175度Celcious
文件頁數： 5/5頁
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代理商： SUM110P06-08L-E3
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73045
S-41506—Rev. A, 09-Aug-04
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
125
150
175
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
N
T
1
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
T
C
Case Temperature ( C)
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
1000
1
0.1
1
10
100
Limited by r
DS(on)
0.1
10
I
D
1 ms
10 ms
10 s
100 s
T
= 25 C
Single Pulse
100 ms, dc
I
D
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
Limited
by Package
相關PDF資料
PDF描述
SUM23N15-73 N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM40N15-38 N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM45N25-58 N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
SUM60N08-07T MOSFET SPECIFICATIONS (TJ = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
SUM70N06-11 N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
SUM110P08-11-E3 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110P08-11L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SUM110P08-11L-E3 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110P08-11L-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 11A TO-263
SUM1500RMXL2U 功能描述:UPS - 不間斷電源 APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 功率額定值: 輸出電壓額定值:24 V 出口數量:2 運行時間（滿載）: 運行時間（半載）:
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