參數(shù)資料
型號(hào)： SUM110P06-08L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下副秘書(shū)長(zhǎng)）MOSFET的175度Celcious
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： SUM110P06-08L
SUM110P06-08L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73045
S-41506—Rev. A, 09-Aug-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
70
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4
8
12
16
20
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160
200
240
280
320
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
20
40
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120
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6000
9000
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15000
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1
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4
5
6
0
40
80
120
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200
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
r
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
)
V
G
I
D
Drain Current (A)
g
f
25 C
55 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 30 V
I
D
= 110 A
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
iss
C
oss
C
rss
125 C
3 V
4 V
T
C
=
55 C
25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM110P06-08L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175 Degrees Celcious MOSFET
SUM23N15-73 N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM40N15-38 N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
SUM45N25-58 N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET
SUM60N08-07T MOSFET SPECIFICATIONS (TJ = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM110P06-08L_06 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 Celsius MOSFET
SUM110P06-08L-E3 功能描述:MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110P08-11-E3 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM110P08-11L 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SUM110P08-11L-E3 功能描述:MOSFET 80V 110A 375W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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