參數(shù)資料
型號： SUP75N08-09L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： N通道75 - V（下局副局長），175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： SUP75N08-09L
SUP/SUB75N08-09L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70870
S-60951—Rev. A, 26-Apr-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
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6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
g
f
25 C
–55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
GS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
C
rss
相關PDF資料
PDF描述
SUD15N15-95 SPICE Device Model SUD15N15-95
SUD19N20-90 N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUD23N06-31L TERMINAL
SUD25N06-45L N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
SUD30N04-10 N-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SUP75N08-09L-E3 功能描述:MOSFET 75V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N08-09L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 75V, 75A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
SUP75N08-10 功能描述:MOSFET 75V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N08-10 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220AB
SUP75N08-10-E3 功能描述:MOSFET 75V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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