品牌 | coilcraft | 型號 | CS2106L |
材料 | 銅心電感線圈 | 電感線圈繞制方法 | 多層式線圈 |
用途 | 振蕩線圈 | | |
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產品獎。Si7655DN是業(yè)內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只有4.8mΩ,也是采用新版本Vishay SilIConix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
OV7960-C48P |
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OV8610 |
OV8810-A67A |
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OV9653-V28A |
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OV9710-HDDV |
OV9712-V28A |
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OV9726-A40A |
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OV9810-A70A |
OV14825-A16A |
OV4680 |
OVP2200 |
SOI268 / 2681
BW |
SOI268 / 2681
IR |
SOI763A |
SQ608-L |
SQ908-L |
《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設計、在技術或應用方面取得顯著進步,以及性價比的卓越表現(xiàn),從前一年推出的數(shù)百款產品中進行評選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新,以及在適配器、電池、負載開關和電源管理應用中取得的成功而入選。
《今日電子》Top-10電源產品獎在9月12日北京國賓酒店舉行的電源技術研討會上頒發(fā)。Vishay北京辦事處的銷售客戶經理Alice Wei代表Vishay領獎。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內領先P溝道Gen III技術,最大導通電阻為3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。
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