以下是，IXTK32P60P IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds ，型號(hào):IXTK32P60P 廠家:IXYS 批號(hào):15+ 封裝:TO-264 ，請(qǐng)點(diǎn)擊“詢價(jià)”
-IXTK32P60P IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds 型號(hào):IXTK32P60P 廠家:IXYS 批號(hào):15+ 封裝:TO-264-買賣IC網(wǎng)
IXTK32P60P IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
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  • 發(fā)布日期： 2015年03月18日
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型號(hào)IXTK32P60P廠家IXYS
批號(hào)15+封裝TO-264
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
Id-連續(xù)漏極電流: - 32 A
Vds-漏源極擊穿電壓: - 600 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 350 mOhms
晶體管極性: P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 4 V
Qg-柵極電荷: 196 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
通道模式: Enhancement
下降時(shí)間: 33 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 21 S
最小工作溫度: - 55 C
上升時(shí)間: 27 ns
系列:
工廠包裝數(shù)量: 25
商標(biāo)名:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 95 ns
單位重量: 10 g
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